Trench MOSFET

Базовая технология Trench MOSFET предназначена для производства электронных компонентов на кремниевых пластинах диаметром 200мм по техпроцессу с минимальными проектными нормами 250 нм.
Технология Trench MOSFET позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты. Trench технология позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках.

Заказать

Trench MOSFET

Название
Функциональное значение Напряжение сток-исток, V
Ток утечки сток-исток, мкA Ток утечки затвор-исток, nA Сопротивление канала в открытом состоянии, мОм Пороговое напряжение, В
MIK8205 Сдвоенный N-канальный Trench MOSFET Транзистор >20 < 1 ±100
< 20
0,675 – 0,825