2020 -2022 гг. Открыт интернет-магазин RFID продукции для розничной продажи физлицам. Предприятие выпустило экспериментальную партию первого российского микроконтроллера с ядром на открытой архитектуре RISC-V МIК32 Амур, начато серийное производство сдвоенных N-канальных транзисторов с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В по технологии Trench Mosfet.

2023 – 2024 Запущены 4 новых линии на сборочном производстве, в том числе сборка микросхем в пластиковые корпуса и первая в стране линия сборки COB-модулей для полной локализации производства карт «Тройка».

2012г. Открыто производство микросхем с топологией 90нм.

2013 – 2014 гг. В серийном производстве освоены чип для загранпаспортов нового поколения и сверхмалый чип для радиочастотной идентификации (RFID). Открыты азотно-компрессорная и водородно-кислородная станции.

2015г. Завершена разработка банковского чипа для НСПК «МИР». Предприятие стало резидентом Особой Экономической Зоны «Зеленоград» (ОЭЗ «Технополис Москва).

2016 - 2017г. Начат выпуск электронных полисов обязательного медицинского страхования с микросхемой Микрона и RFID меток для маркировки меховых изделий.

2018 - 2019г. С Московским Метрополитеном создано совместное предприятие на базе дочерней компании Микрона «Микрон Секьюрити Принтинг». Предприятие АО «Светлана-Полупроводники» (Санкт-Петербург) вошло в состав ГК Микрон. Система менеджмента качества сертифицирована для производства ЭКБ для автоэлектроники.

2000г. На базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО "ВЗПП-Микрон".

2001г. Предприятию присуждена премия Правительства РФ в области качества.

2006 – 2007 гг. Внедрена технология и запущено производство интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм и энергонезависимой памятью EEPROM. Освоен полный цикл производства RFID-билетов для Московского Метрополитена.

2009г. Подписано соглашение с ГК РОСНАНО о запуске производства интегральных схем проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм.

1991 – 1993 гг. Закончен монтаж чистой комнаты "ОЗОН-1" класса 10. Начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы "Самсунг".

1994г. Разработана технология изготовления БиКМОП ИС, создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

1995-1996 гг. Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП; начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм, с проектными нормами 0,8 мкм.

1997 – 1999 гг. Разработана и начата поставка КМОП синтезатора частоты с проектными нормами 1,2 мкм и тактовой частотой 550 МГц. Получен международный сертификат соответствия системы управления качеством нормам ISO 9000.

1983 г. Указом Президиума Верховного Совета СССР ОАО НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени.

1985г. Поставки интегральных микросхем для обеспечения программы "Марс-Венера". Начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой.

1986-1990 гг. Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами, первые схемы семейства PAL, телевизионные ИС.

1971г. Сданы под монтаж все 4 секции завода «Микрон» площадью более 60 тыс. кв. м.; микросхемы серии 155 аттестованы на высшую категорию качества.

1972 - 1976 гг. Промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС с быстродействием 2 нс на вентиль. Микросхемам серии 155 присвоен государственный «Знак качества».

1977-1979 гг. Внедрены: техпроцесс изготовления ИС с изоляцией окислом («изопланар»); базовый технологический процесс изготовления ИС с применением ионного легирования; плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС.

1964г. Приказом Государственного комитета по электронной технике СССР № 50 организован НИИ молекулярной электроники.

1965г. Директором НИИМЭ назначен академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор Камиль Ахметович Валиев.

1967г. Приказом Министра электронной промышленности СССР от 1 февраля при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон».

1968-1969 гг. Внедрены эпитаксиально-планарная технология, технология изготовления кремниевых ИС на МОП транзисторах; планарная технология арсенид-галлиевых микросхем; технологии проектирования и производства базовых матричных кристаллов СБИС.