LDO стабилизатор положительного напряжения 5.0 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1ЕТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-5.0, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Регулируемый LDO стабилизатор положительного напряжения. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕР1Т и 2-го уровня локализации MIK1117S-Adj, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 1.8 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1АТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-1.8, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO-стабилизатор положительного напряжения 1.5 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1Т и 2-го уровня локализации MIK1117S-1.5, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 2.5 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1БТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-2.5, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 3.3 B. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1ДТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-3.3, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Регулируемый LDO стабилизатор положительного напряжения. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕР1Т и 2-го уровня локализации MIK1117S-Adj, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 5.0 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1ЕТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-5.0, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 3.3 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1ДТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-3.3, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 2.5 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1БТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-2.5, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO-стабилизатор положительного напряжения 1.5 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1Т и 2-го уровня локализации MIK1117S-1.5, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

LDO стабилизатор положительного напряжения 1.8 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕН1АТ и 2-го уровня локализации MIK1117S-1.8, серии GM1117S (MIK1117S) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Радиометка общего назначения INTREPID технологии RFID является корпусированной меткой, используемой для маркировки различных предметов, в том числе состоящих из металла, с антенной линейной направленности. Крепление метки на объекте маркировки осуществляется с помощью клеевых составов, стяжек, винтов, болтов, шурупов или саморезов.

Микроконтроллер с ядром на открытой архитектуре RISC-V. Микросхема 1-го уровня локализации К1948ВК015 (MIK32 Амур). Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Отладочная плата «Старт» — программируемое устройство на основе RISC-V-микроконтроллера MIK32 «Амур» (К1948ВК015/018). Плата оснащена микроконтроллером с минимальной обвязкой, внешней flash-памятью и встроенным программатором с поддержкой в различных средах разработки, включая Arduino, PlatformIO и Eclipse.

Отладочная плата DIP-MIK32 - сменный микроконтроллерный модуль для использования в прототипах устройств на базе MIK32 Амур. Плата содержит минимальную обвязку для запуска микроконтроллера и подходит для проектов различной сложности. Демонстрационные устройства и учебные комплекты используют в своем составе этот модуль.

Основное предназначение устройства – отработка схемотехники изделий при помощи макетных плат, изучения характеристик микроконтроллера, обучения основам программирования и электроники, быстрый выпуск прототипов устройств.

Полудуплексный RS-485 трансивер. Микросхемы 1-го уровня К5361ВВ2Т и 2-го уровня локализации GM485 (MIK485) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Регулируемый прецизионный шунтирующий стабилизатор. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕР2Т и 2-го уровня локализации GM432 (MIK432) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Регулируемый прецизионный шунтирующий стабилизатор. Микросхемы 1-го уровня К5361ЕР2Т и 2-го уровня локализации GM432 (MIK432) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.

Полудуплексный RS-485 трансивер 5.0 В. Микросхемы 1-го уровня К5361ВВ2Т и 2-го уровня локализации GM485 (MIK485) полностью идентичны по характеристикам, изготавливаются на базе одного и того же кристалла, в одном и том же корпусе и являются на 100% взаимозаменяемыми. Применение микросхем именно 1-го уровня обеспечивает максимальное количество баллов при оценке локализации продукции.