В конце 50-х – начале 60-х годов прошлого века зародилась и начала активно развиваться новая
наука — микроэлектроника. Осознавая необходимость создания собственной микроэлектронной
промышленности, Государственный комитет СССР по электронной технике принял решение
об организации НИИ и заводов, на базе которых возникла отечественная микроэлектроника.
Важные даты
02/06
1 февраля 1967 г.
Приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон».
12 апреля 1983 г.
Указом Президиума Верховного Совета СССР «НИИМЭ и завод Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени.
12 декабря 2007 г.
Запущена линия по производству кристаллов микросхем с топологическими нормами 180 нм. на пластинах диаметром 200 мм.
17 февраля 2012 г.
Запущена линия по производству кристаллов микросхем с топологическими нормами 90 нм. на пластинах диаметром 200 мм.
24 ноября 2016 года
Торгово-Промышленная Палата РФ дала заключение о том, что интегральная схема Микрона К5016ВГ1 (MIK51SC72D) является отечественной продукцией первого уровня.
21 декабря 2023 г.
МСП, совместное предприятие Микрона и Московского Метрополитена, запустило производственную линию по сборке COB-модулей. «Тройка» стала на 100% российской
21 марта 2024 г.
Запущены новая производственная линия сборки микросхем в пластиковые корпуса и дополнительная линия сборки чип-модулей.
06 июля 2024 г.
Запущена дополнительная производственная линия корпусирования микросхем в новых ЧПП класса ISO 8.
1960–1970
1970–1980
1980–1990
1990–2000
2000–2010
2010–2020
2020–н.вр.
1960–1970
1964г. Приказом Государственного комитета по электронной технике СССР № 50 организован НИИ молекулярной электроники.
1965г. Директором НИИМЭ назначен академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор Камиль Ахметович Валиев.
1967г. Приказом Министра электронной промышленности СССР от 1 февраля при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон».
1968-1969 гг. Внедрены эпитаксиально-планарная технология, технология изготовления кремниевых ИС на МОП транзисторах; планарная технология арсенид-галлиевых микросхем; технологии проектирования и производства базовых матричных кристаллов СБИС.
1970–1980
1971г. Сданы под монтаж все 4 секции завода «Микрон» площадью более 60 тыс. кв. м.; микросхемы серии 155 аттестованы на высшую категорию качества.
1972 - 1976 гг. Промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС с быстродействием 2 нс на вентиль. Микросхемам серии 155 присвоен государственный «Знак качества».
1977-1979 гг. Внедрены: техпроцесс изготовления ИС с изоляцией окислом («изопланар»); базовый технологический процесс изготовления ИС с применением ионного легирования; плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС.
1980–1990
1983 г. Указом Президиума Верховного Совета СССР ОАО НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени.
1985г. Поставки интегральных микросхем для обеспечения программы "Марс-Венера". Начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой.
1986-1990 гг. Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами, первые схемы семейства PAL, телевизионные ИС.
1990–2000
1991 – 1993 гг. Закончен монтаж чистой комнаты "ОЗОН-1" класса 10. Начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы "Самсунг".
1994г. Разработана технология изготовления БиКМОП ИС, создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).
1995-1996 гг. Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП; начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм, с проектными нормами 0,8 мкм.
1997 – 1999 гг. Разработана и начата поставка КМОП синтезатора частоты с проектными нормами 1,2 мкм и тактовой частотой 550 МГц. Получен международный сертификат соответствия системы управления качеством нормам ISO 9000.
2000–2010
2000г. На базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО "ВЗПП-Микрон".
2001г. Предприятию присуждена премия Правительства РФ в области качества.
2006 – 2007 гг. Внедрена технология и запущено производство интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм и энергонезависимой памятью EEPROM. Освоен полный цикл производства RFID-билетов для Московского Метрополитена.
2009г. Подписано соглашение с ГК РОСНАНО о запуске производства интегральных схем проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм.
2010–2020
2012г. Открыто производство микросхем с топологией 90нм.
2013 – 2014 гг. В серийном производстве освоены чип для загранпаспортов нового поколения и сверхмалый чип для радиочастотной идентификации (RFID). Открыты азотно-компрессорная и водородно-кислородная станции.
2015г. Завершена разработка банковского чипа для НСПК «МИР». Предприятие стало резидентом Особой Экономической Зоны «Зеленоград» (ОЭЗ «Технополис Москва).
2016 - 2017г. Начат выпуск электронных полисов обязательного медицинского страхования с микросхемой Микрона и RFID меток для маркировки меховых изделий.
2018 - 2019г. С Московским Метрополитеном создано совместное предприятие на базе дочерней компании Микрона «Микрон Секьюрити Принтинг». Предприятие АО «Светлана-Полупроводники» (Санкт-Петербург) вошло в состав ГК Микрон. Система менеджмента качества сертифицирована для производства ЭКБ для автоэлектроники.
2020–н.вр.
2020 -2022 гг. Открыт интернет-магазин RFID продукции для розничной продажи физлицам. Предприятие выпустило экспериментальную партию первого российского микроконтроллера с ядром на открытой архитектуре RISC-V МIК32 Амур, начато серийное производство сдвоенных N-канальных транзисторов с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В по технологии Trench Mosfet.
2023 – 2024 Запущены 4 новых линии на сборочном производстве, в том числе сборка микросхем в пластиковые корпуса и первая в стране линия сборки COB-модулей для полной локализации производства карт «Тройка».
Камиль Ахметович Валиев
15 января 1931 года в Таканышском районе Татарской АССР родился Камиль Ахметович Валиев, первый директор нашего завода, выдающийся ученый, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, научный руководитель Физико-технологического института РАН, лауреат Ленинской премии.
Камиль Ахметович иногда шутил о том, что своим успехам в науке он обязан базису, заложенному в 3-м классе начальной школы. Дело в том, что после переезда семьи в Саратовскую область Камилю пришлось долгие два года осваивать русский язык и только после этого он смог нормально учиться. Так что учеба в 3-м классе растянулась для него на целых три года.
Камиль Валиев с отличием окончил Казанский государственный университет, там же остался в качестве преподавателя и научного сотрудника, защитил диссертацию, стал заведующим кафедры физики. Все это время он помимо преподавательской деятельности огромное внимание уделял научным исследованиям, в первую очередь, в области магнитного резонанса.
В 33 года Камиль Валиев получил предложение присоединиться к коллективу предприятия п/я 2015, получившего впоследствии название НИИ микроприборов. К этому моменту он уже был счастливо женат и воспитывал двоих детей – так что переезд в Зеленоград получился семейным. Талант и уникальная работоспособность молодого ученого настолько впечатлили руководство, что уже к концу года его представили министру электронной промышленности А.И. Шокину для нового назначения.
25 января 1965 года Камиль Ахметович Валиев был назначен директором Научно-исследовательского института молекулярной электроники.
Из воспоминаний Александра Александровича Кокина, начальника лаборатории НИИМЭ в 1965-1986 годах: «Одной из своих главных обязанностей Камиль Валиев считал постоянную работу с быстро растущим количеством научной информации. Постоянная учеба в течение всей жизни путем самообразования – это характерная черта настоящего Ученого. Ясно, что для выполнения всех обязанностей директору было мало 8-часового рабочего дня, работа продолжалась и «после работы». Как правило, основное рабочее время директор проводил в своем кабинете и был всегда доступен для сотрудников института. Вопросы решались тут же оперативно, ничего не откладывалось в дальний ящик».
За короткий срок НИИМЭ и завод Микрон под руководством Камиля Валиева обеспечил в СССР создание массового производства микроэлектронно-интегральных схем. В 1974 году Камиля Валиева удостоили Ленинской премии.
В 1977 году Камиль Валиев пишет заявление с просьбой об освобождении со своего поста. Организм уже отказывался выдерживать бешеный темп работы на износ, стало пошаливать здоровье. Кроме того, ему хотелось найти лучшее применение своему научному потенциалу – он вернулся к преподавательской и научно-исследовательской деятельности: заведовал кафедрой интегральных полупроводниковых схем в МИЭТ, сектором микроэлектроники Физического института им. П. Н. Лебедева, лабораторией микроэлектроники Института общей физики. В 1988 году два академика — Прохоров и Валиев - для дальнейшей разработки проблем микроэлектроники создали Физико-технологический институт АН СССР (ныне ФТИ РАН). Академик Валиев был назначен первым директором этого института и возглавлял его до 2005 года. С 2005-го он работал научным руководителем института. В 2001 году по его инициативе в МГУ году создали кафедру квантовой информатики, которую он же и возглавлял вплоть до своей кончины в 2010 году.
В 2020 году 1-й Западный проезд в Зеленограде — между проспектом Генерала Алексеева и улицей Конструктора Гуськова, заводом «Микрон» и зеленоградским автокомбинатом — назван в память об академике РАН и АН СССР, лауреате Ленинской премии по физике Камиле Валиеве.
«Вспоминая годы работы в НИИМЭ, задаю себе вопросы: что оставило чувство наибольшего
удовлетворения, что было наиболее трудным? На первый вопрос отвечаю так: нас
вдохновляло чувство того, что мы участвуем в работе национального масштаба...»
02/06
Серафима Громова
Серафима Громова родилась в 1923 году. Детство и юность провела в селе Орловка Воронежской области, где её отец занимался организацией колхозов. После окончания семи классов деревенской школы Серафима завершала среднее образование в самом городе Воронеже.
По окончании школы, в 1941 году, она, обладая огромным энтузиазмом, обращается в военкомат с просьбой отправить ее на фронт, однако получает отказ. Достойная альтернатива нашлась быстро, и Серафима Громова, вдохновив своей инициативой нескольких подруг, поступает на курсы ОСОАВИАХИМа. В начале зимы того же года, она, всем своим существом стремящаяся к знаниям, через замерзший Дон пешком отправляется в Воронеж и поступает на Механико-математический факультет Воронежского государственного университета.
В апреле 1942 года Громова Серафима Андреевна была призвана в ряды Рабоче-крестьянской Красной Армии Алексеевским районным военным комиссариатом Воронежской области и направлена на службу в 8-ю роту 4-го полка ВНОС - Войск наблюдения, оповещения и связи 7-й дивизии Противовоздушной обороны, где она служила в должности дежурной по связи радиопоста Киевского корпусного района ПВО. В составе этой роты она участвовала в битве на Курской дуге, в боях за освобождение Украины и встретила Великую Победу в городе Фастове Киевской области.
Когда вновь воцарилось мирное время, она так же неутомимо ушла с головой в учебный и рабочий процесс, вскоре став уникальным специалистом, внесшим значительный вклад в совершенствование и рационализацию производства. Блестящее знание своего дела и природное умение находить общий язык с людьми помогли Серафиме Андреевне приобрести обширный опыт работы на различных предприятиях и зарекомендовать себя как очень перспективного сотрудника.
По окончании Механико-математического факультета Саратовского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского, с 1952 по 1966 год Громова работала в Новосибирске - сначала на электровакуумном заводе, пройдя путь от старшего мастера цеха до начальника отдела технического контроля конструкторского бюро, затем на заводе полупроводниковых приборов, где принимала участие в разработке и создании компонентов элементной базы различного назначения. С 1966 по 1971 год Серафима Андреевна трудилась в городе Фрязино Московской области на Опытно-показательном заводе полупроводниковых приборов специального назначения и в Минске, на заводе «Мион», который покинула в должности и.о. главного инженера.
В 1971 году её приглашают возглавить сборочный цех на только возведённом тогда заводе «Микрон», где до самой пенсии своим талантом инженера и мудрым наставничеством она будет оказывать неоценимую помощь в работе и развитии завода. После выхода на пенсию в 1978 году Серафима Андреевна перешла на должность мастера сборочно-выпускного цеха.
Серафима Андреевна Громова внесла большой личный вклад в развитие отечественной электронной промышленности. Она проявила себя как хороший организатор сборочного производства интегральных микросхем, высококвалифицированный специалист сборочных процессов и умелый руководитель трудового коллектива, автор более 20-ти рационализаторских предложений, применённых и применяемых по сей день, обеспечивающих высокий экономический эффект.
Уникальное техническое решение метода бесфлюсовой пайки микросхем было успешно внедрено на 18-ти предприятиях электронной промышленности нашей страны.
После ухода на заслуженный отдых, с 1994 года Серафима Андреевна Громова не потеряла своей инициативности, но уже в области общественной работы, в Совете ветеранов Великой Отечественной войны, труда и Вооружённых сил Зеленоградского Административного округа города Москвы, была организатором мероприятий Управы ЗелАО и управы района Матушкино.
Многочисленные заслуги и звания она принимала как нечто естественное, чему нет смысла уделять особое внимание. А список наград Серафимы Андреевны очень внушителен: медаль «За боевые заслуги» (08.03.1944), Орден Трудового Красного Знамени (25.03.1974), Орден Отечественной войны 2-й степени (11.03.1985), Орден Ленина (30.12.1990), золотая медаль «Серп и Молот» (30.12.1990). Помимо этого, была удостоена званий «Почётный работник электронной промышленности» и "Почетный житель района Матушкино города Зеленограда".
За 90 лет Серафима Андреевна, благодаря своей активной жизненной позиции, верности высоким идеалам и поразительному трудолюбию из простой воронежской девчонки не только стала выдающимся инженером электронной промышленности и доблестной защитницей страны в тяжёлые годы Великой Отечественной войны, но и, несмотря на травматизм многих пережитых моментов, не очерствела, оставшись искренним и душевным человеком.
Пламенное сердце отечественной электронной промышленности