2П7241А-5
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Применение:
Радиоэлектронная промышленность
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
1.725 В
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 35 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 30 В
Под заказ
719 ПП РФ
РУС
РЭП
Радиоэлектронная промышленность
Характеристики
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Применение:
Радиоэлектронная промышленность
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
1.725 В
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 35 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 30 В
-
Диапазон рабочих температур:
от -50 до +150°C
Описание
Транзистор P-типа 2П7241А-5 производится по технологии Trench MOSFET на пластинах 200 мм. Предназначен для применения в батарейных системах управления питанием и портативных устройствах.
Применение
- Радиоэлектронная промышленность
Раннее вы смотрели
По применению
Телекоммуникационное оборудование
Включает микросхемы для маршрутизаторов, коммутаторов, базовых станций и других критически важных компонентов телекоммуникационных систем.
Вычислительная техника
Робототехника
Бортовые устройства
Интернет вещей
Медицинская техника
Транспортная инфраструктура
Системы автоматизации
Измерительные приборы
Инфраструктурная аппаратура
Автоматизированные системы управления (АСУ ТП)
Радиоэлектронная промышленность
Электроэнергетика (приборы учета)