3N20
Микросхемы отраслевого применения
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Применение:
Радиоэлектронная промышленность
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
0.675 – 0.825 B
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 85 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
Под заказ
РУС
РЭП
719 ПП РФ
Радиоэлектронная промышленность
Характеристики
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Применение:
Радиоэлектронная промышленность
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
0.675 – 0.825 B
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 85 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
-
Диапазон рабочих температур:
от -50 до +150 °С
Описание
N-канальный силовой полевой транзистор, производится по технологии Trench MOSFET на пластинах диаметром 200мм
Применение
- Радиоэлектронная промышленность
Документация
Раннее вы смотрели
Интернет-магазин
11 позиций
Микросхемы общепромышленного применения
94 позиций
Микросхемы для жестких условий эксплуатации
582 позиций
Микроконтроллеры
8 позиций
Микросхемы отраслевого применения
91 позиций
Новые разработки
13 позиций
RFID-продукция и смарт-карты
62 позиций
Продукция в реестре 719 ПП РФ
71 позицийПо применению
Телекоммуникационное оборудование
Включает микросхемы для маршрутизаторов, коммутаторов, базовых станций и других критически важных компонентов телекоммуникационных систем.
Вычислительная техника
Робототехника
Бортовые устройства
Интернет вещей
Умный дом
Медицинская техника
Транспортная инфраструктура
Системы автоматизации
Измерительные приборы
Инфраструктурная аппаратура
Автоматизированные системы управления (АСУ ТП)
Промышленная (силовая) электроника
Системы безопасности
Автоэлектроника
Электроэнергетика (приборы учета)
