4N20
719 ПП РФ
В серии
Микросхемы отраслевого применения
Сдвоенный N-канальный силовой полевой транзистор, производится по технологии Trench MOSFET на пластинах диаметром 200мм
-
Корпус:
б/к
-
Диапазон рабочих температур:
от -50 до +150 °С
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 3.8 мОм
-
Пороговое напряжение:
0.675 – 0.825 B
Описание
Сдвоенный N-канальный силовой полевой транзистор, производится по технологии Trench MOSFET на пластинах диаметром 200мм
Характеристики
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Статус:
В серии
-
Корпус:
б/к
-
Диапазон рабочих температур:
от -50 до +150 °С
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 3.8 мОм
-
Пороговое напряжение:
0.675 – 0.825 B
Применение
- Радиоэлектронная промышленность
Документация
Раннее вы смотрели
Интернет-магазин
47 позиций
Микросхемы общепромышленного применения
194 позиций
Микросхемы для жестких условий эксплуатации
583 позиций
Микроконтроллеры
10 позиций
Микросхемы отраслевого применения
144 позиций
Новые разработки
13 позиций
RFID-продукция и смарт-карты
66 позиций
Продукция в реестре 719 ПП РФ
126 позицийПо применению
Телекоммуникационное оборудование
Включает микросхемы для маршрутизаторов, коммутаторов, базовых станций и других критически важных компонентов телекоммуникационных систем.
Вычислительная техника
Робототехника
Бортовые устройства
Интернет вещей
Медицинская техника
Транспортная инфраструктура
Системы автоматизации
Измерительные приборы
Инфраструктурная аппаратура
Автоматизированные системы управления (АСУ ТП)
Радиоэлектронная промышленность
Электроэнергетика (приборы учета)
Промышленная (силовая) электроника
Системы безопасности
Автоэлектроника
