MIK8205
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Применение:
Радиоэлектронная промышленность
-
Статус:
В серии
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
0,675 – 0,825 B
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 20 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
Под заказ
РУС
РЭП
719 ПП РФ
Радиоэлектронная промышленность
Характеристики
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Применение:
Радиоэлектронная промышленность
-
Статус:
В серии
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
0,675 – 0,825 B
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 20 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
-
Диапазон рабочих температур:
от -50 до +150 °С
Описание
Сдвоенный N-канальный силовой полевой транзистор, производится по технологии Trench MOSFET на пластинах диаметром 200мм
Применение
- Радиоэлектронная промышленность
Документация
MIK8205
Сдвоенный N-канальный силовой полевой транзистор, производится по технологии Trench MOSFET на пластинах диаметром 200мм
Микросхемы отраслевого применения
Микросхемы отраслевого применения
Раннее вы смотрели
По применению
Телекоммуникационное оборудование
Включает микросхемы для маршрутизаторов, коммутаторов, базовых станций и других критически важных компонентов телекоммуникационных систем.
Вычислительная техника
Робототехника
Бортовые устройства
Интернет вещей
Медицинская техника
Транспортная инфраструктура
Системы автоматизации
Измерительные приборы
Инфраструктурная аппаратура
Автоматизированные системы управления (АСУ ТП)
Радиоэлектронная промышленность
Электроэнергетика (приборы учета)