Телекоммуникационное оборудование
Микросхемы российского производства Микрона закладывают крепкий фундамент надежности: локальная сборка способствует снижению рисков и обеспечивает стабильную, непрерывную работу телекоммуникационных систем. Внедряйте микросхемы, созданные для обеспечения технологического суверенитета России!
Микросхемы Микрона уже применяются в телекоммуникационном оборудовании
Вы получите комплексное решение, которое обеспечивает:
Абсолютную независимость
Стабильные поставки без рисков санкций и логистических разрывов
Проверенную надежность
Рассчитаны на многолетнюю и стабильную работу
Соответствие стандартам
Выполнение всех требований Минпромторга для доступа к госзаказу
Прямую поддержку
Оперативное решение вопросов на родном языке от разработчиков
Также вам может быть полезным
Микрсохемы соответствуют
719 ПП РФ
719 ПП РФ
Представленые микросхемы полностью соответствуют требованиям Постановления Правительства РФ № 719
Создавайте телекоммуникационное оборудование с компонентами, которым доверяет государство!
Создавайте телекоммуникационное оборудование с компонентами, которым доверяет государство!
Фильтры
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
-
▼
Телекоммуникационное оборудование
По умолчанию
- По умолчанию
- По дате публикации
- Популярные
- Рекомендуем
- Новинки
Фильтры
| Название | Функциональное назначение | Статус | Корпус | Функциональный аналог | Аналог | Рабочая частота | Память NVM (EEPROM) | Интерфейс | Входное напряжение | Выходное напряжение | Ток потребления | Выходной ток | Опорное напряжение | Напряжение падения | Катодный ток | Память ROM | Память RAM | ||
|
Название
MIK1117S-5.0
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
К5361ЕН1ЕТ
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
5.0 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
MIK1117S-Adj.
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
К5361ЕР1Т
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
Adj. B
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
MIK1117S-1.8
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
K5361EH1AT
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
1.8 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
MIK1117S-1.5
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
K5361EH1T
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
1.5 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
MIK1117S-2.5
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
K5361ЕH1БТ
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
2.5 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
MIK1117S-3.3
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
K5361ЕН1ДТ
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
3.3 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
К5361ЕР1Т
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
MIK1117S-Adj.
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
Adj.
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
К5361ЕН1ЕТ
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
MIK1117S-5.0
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
5.0 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
MIK1117S-3.3
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
MIK1117S-3.3
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
3.3 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
|
|
Название
K5361ЕH1БТ
|
Функциональное назначение
Биполярные регуляторы
|
Статус
В серии
|
Корпус
SOT-223
|
Функциональный аналог
MIK1117S-2.5
|
Аналог
LT1117
|
Рабочая частота
-
|
Память NVM (EEPROM)
-
|
Интерфейс
-
|
Входное напряжение
20.0 В
|
Выходное напряжение
2.5 В
|
Ток потребления
10.0 мА
|
Выходной ток
1.0 А
|
Опорное напряжение
-
|
Напряжение падения
1.2 В
|
Катодный ток
-
|
Память ROM
-
|
Память RAM
-
|
01
/
05
Новинки
01