4N20
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Статус:
В серии
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
0.675 – 0.825 B
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 3.8 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
Под заказ
719 ПП РФ
РУС
РЭП
Характеристики
-
Функциональное назначение:
Транзисторы Trench MOSFET
-
Статус:
В серии
-
Корпус:
б/к
-
Пороговое напряжение:
0.675 – 0.825 B
-
Сопротивление канала в открытом состоянии:
< 3.8 мОм
-
Ток утечки затвора:
+/-100 нА
-
Ток утечки сток-исток:
< 1 мкA
-
Напряжение сток-исток:
> 20 B
-
Диапазон рабочих температур:
от -50 до +150 °С
Описание
Базовая технология Trench MOSFET предназначена для производства электронных компонентов на кремниевых пластинах диаметром 200мм по техпроцессу с минимальными проектными нормами 250 нм.
Технология Trench MOSFET позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты. Trench технология позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках.
Документация
Раннее вы смотрели
По применению
Телекоммуникационное оборудование
Включает микросхемы для маршрутизаторов, коммутаторов, базовых станций и других критически важных компонентов телекоммуникационных систем.
Вычислительная техника
Робототехника
Бортовые устройства
Интернет вещей
Медицинская техника
Транспортная инфраструктура
Системы автоматизации
Измерительные приборы
Инфраструктурная аппаратура
Автоматизированные системы управления (АСУ ТП)
Радиоэлектронная промышленность
Электроэнергетика (приборы учета)